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Pin SOT-23 T/R dos transistor N-CH 60V 0.115A 3 do Mosfet de 2N7002LT1G ONSEMI

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Pin SOT-23 T/R dos transistor N-CH 60V 0.115A 3 do Mosfet de 2N7002LT1G ONSEMI

Imagem Grande : Pin SOT-23 T/R dos transistor N-CH 60V 0.115A 3 do Mosfet de 2N7002LT1G ONSEMI Melhor preço

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	CHINA
Marca:	ONSEMI
Número do modelo:	2N7002LT1G

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Qty do pacote
Preço:	contact sales for updated price
Detalhes da embalagem:	fita e carretel
Tempo de entrega:	2 semanas
Termos de pagamento:	T/T
Habilidade da fonte:	1000+

Contato

Descrição de produto detalhada

Destacar:

Transistor do Mosfet de ONSEMI

Transistor N-CH do Mosfet

2N7002LT1G Pin 3

MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R do transporte de 2N7002LT1G ONSEMI

Os MOSFETs do semicondutor foram projetados SOBRE minimizar o quando da resistência do em-estado fornecem o desempenho de comutação áspero, seguro, e rápido. Sua dissipação de poder máxima é 300 mW. A tensão máxima da fonte do dreno do produto é 60 V e a tensão de fonte de porta é ±20 V. Este MOSFET tem uma variação da temperatura de funcionamento de -55°C a 150°C.

Características e benefícios:
• prefixo 2V para aplicações automotivos e outras que exigem exigências originais da mudança do local e de controle; AEC-Q101 qualificou e PPAP capaz (2V7002L)
• Estes dispositivos são Pb-livres, o halogênio Free/BFR livres e são RoHS complacente

Aplicação:
• Controlo do motor servo
• Motoristas da porta do MOSFET do poder

Especificações técnicas do produto

UE RoHS	Complacente
ECCN (E.U.)	EAR99
Estado da parte	Ativo
Automotivo	Não
PPAP	Não
Categoria de produto	Sinal pequeno
Configuração	Único
Modo do canal	Realce
Tipo de canal	N
Número de elementos pela microplaqueta	1
Tensão máxima da fonte do dreno (v)	60
Tensão de fonte de porta máxima (v)	±20
Tensão máxima do ponto inicial da porta (v)	2,5
Temperatura de junção de funcionamento (°C)	-55 a 150
Dreno contínuo máximo (a) atual	0,115
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA)	100
IDSS máximo (A)	1
Resistência máxima da fonte do dreno (mOhm)	7500@10V
Capacidade reversa típica @ Vds de transferência (PF)	5 @25V (máximos)
Tensão mínima do ponto inicial da porta (v)	1
Capacidade de saída típica (PF)	25 (máximo)
Dissipação de poder máxima (mW)	300
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns)	40 (máximo)
Tempo de atraso de ligação típico (ns)	20 (máximo)
Temperatura de funcionamento mínima (°C)	-55
Temperatura de funcionamento máximo (°C)	150
Empacotamento	Fita e carretel
Tensão de fonte de porta positiva máxima (v)	20
Dissipação de poder máxima em PWB @ TC=25°C (W)	0,225
Máximos pulsados drenam a corrente @ TC=25°C (a)	0,8
Resistência térmica ambiental da junção máxima em PWB (°C/W)	556
Tensão dianteira do diodo máximo (v)	1,5
Pin Count	3
Nome do pacote padrão	ÉBRIO
Pacote do fornecedor	SOT-23
Montagem	Montagem de superfície
Altura do pacote	0,94
Comprimento do pacote	2,9
Largura do pacote	1,3
O PWB mudou	3
Forma da ligação	Gaivota-asa