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Casa ProdutosDiodos e transistor eletrônicos

Pin SOT-23 T/R do transporte N CH 50V 0.2A 3 do Mosfet de BSS138LT1G Onsemi

Pin SOT-23 T/R do transporte N CH 50V 0.2A 3 do Mosfet de BSS138LT1G Onsemi

BSS138LT1G Onsemi Mosfet Trans N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R
BSS138LT1G Onsemi Mosfet Trans N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R

Imagem Grande :  Pin SOT-23 T/R do transporte N CH 50V 0.2A 3 do Mosfet de BSS138LT1G Onsemi Melhor preço

Detalhes do produto:
Lugar de origem: CHINA
Marca: ONSEMI
Número do modelo: BSS138LT1G
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Qty do pacote
Preço: contact sales for updated price
Detalhes da embalagem: fita e carretel
Tempo de entrega: 2 semanas
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000+
Descrição de produto detalhada
Destacar:

Mosfet 50V 0.2A de Onsemi

,

transporte N CH do Mosfet de Onsemi

,

Pin de BSS138LT1G 3

MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R do transporte de BSS138LT1G ONsemi

NO MOSFET do semicondutor é um transistor do MOSFET do canal de N que se opere no modo do realce. Sua dissipação de poder máxima é 225 mW. A tensão máxima da fonte do dreno do produto é 50 V e a tensão de fonte de porta é ±20 V. Este MOSFET tem uma variação da temperatura de funcionamento de -55°C a 150°C.

Características e benefícios:
• Baixa tensão do ponto inicial (VGS (th): 0,85 V-1.5 V) fazem ideal para aplicações da baixa tensão
• O pacote de superfície diminuto da montagem SOT-23 salvar o espaço da placa
• Prefixo de BVSS para aplicações automotivos e outras que exigem exigências originais da mudança do local e de controle; AEC-Q101 qualificou e PPAP capaz
• Estes dispositivos são Pb-livres, o halogênio Free/BFR livres e são RoHS complacente

Aplicação:
• Conversores de DC-DC
• Gestão do poder em produtos portáteis e a pilhas tais como computadores
• Impressoras
• Cartões de PCMCIA
• Telefones celulares e sem corda.

Especificações técnicas do produto

UE RoHS Complacente
ECCN (E.U.) EAR99
Estado da parte Ativo
HTS 8541.21.00.95
Automotivo Não
PPAP Não
Categoria de produto MOSFET do poder
Configuração Único
Modo do canal Realce
Tipo de canal N
Número de elementos pela microplaqueta 1
Tensão máxima da fonte do dreno (v) 50
Tensão de fonte de porta máxima (v) ±20
Tensão máxima do ponto inicial da porta (v) 1,5
Temperatura de junção de funcionamento (°C) -55 a 150
Dreno contínuo máximo (a) atual 0,2
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) 100
IDSS máximo (A) 0,5
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) 3500@5V
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) 40@25V
Capacidade reversa típica @ Vds de transferência (PF) 3,5
Tensão mínima do ponto inicial da porta (v) 0,85
Capacidade de saída típica (PF) 12
Dissipação de poder máxima (mW) 225
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) 20 (máximo)
Tempo de atraso de ligação típico (ns) 20 (máximo)
Temperatura de funcionamento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamento máximo (°C) 150
Empacotamento Fita e carretel
Tensão de fonte de porta positiva máxima (v) 20
Máximos pulsados drenam a corrente @ TC=25°C (a) 0,8
Tensão típica do platô da porta (v) 1,9
Pin Count 3
Nome do pacote padrão ÉBRIO
Pacote do fornecedor SOT-23
Montagem Montagem de superfície
Altura do pacote 0,94
Comprimento do pacote 2,9
Largura do pacote 1,3
O PWB mudou 3
Forma da ligação Gaivota-asa
Amplifique sinais eletrônicos e comute-os entre eles com a ajuda no MOSFET do poder do BSS138LT1G do semicondutor. Sua dissipação de poder máxima é 225 mW. A fim assegurar a entrega segura e permitir a montagem rápida deste componente após a entrega, será encerrada na fita e no carretel que empacotam durante a expedição. Este transistor do MOSFET tem uma variação da temperatura de funcionamento do °C -55 aos 150 °C. Este dispositivo utiliza a tecnologia dos tmos. Este transistor do MOSFET do canal de N opera-se no modo do realce.

Contacto
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Pessoa de Contato: peter

Telefone: +8613211027073

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