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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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MPN: | IRFH9310TRPBF | MFR: | Infineon |
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Categoria: | MOSFET | Tamanho: | 5*6*0.95mm |
Destacar: | MOSFET P-CH do poder superior,Pin do MOSFET 8 do poder superior,IRFH9310TRPBF |
UE RoHS | Complacente |
ECCN (E.U.) | EAR99 |
Estado da parte | Ativo |
Automotivo | Não |
PPAP | Não |
Categoria de produto | MOSFET do poder |
Material | Si |
Configuração | Fonte tripla do único dreno do quadrilátero |
Tecnologia de processamento | HEXFET |
Modo do canal | Realce |
Tipo de canal | P |
Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
Tensão máxima da fonte do dreno (v) | 30 |
Tensão de fonte de porta máxima (v) | ±20 |
Dreno contínuo máximo (a) atual | 21 |
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 4.6@10V |
Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 58@4.5V|110@10V |
Carga típica @ 10V da porta (nC) | 110 |
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 5250@15V |
Dissipação de poder máxima (mW) | 3100 |
Tempo de queda típico (ns) | 70 |
Tempo de elevação típico (ns) | 47 |
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 65 |
Tempo de atraso de ligação típico (ns) | 25 |
Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
Empacotamento | Fita e carretel |
Pin Count | 8 |
Nome do pacote padrão | QFN |
Pacote do fornecedor | EP DE PQFN |
Montagem | Montagem de superfície |
Altura do pacote | 0,95 (máximo) |
Comprimento do pacote | 5 |
Largura do pacote | 6 |
O PWB mudou | 8 |
Forma da ligação | Nenhuma ligação |
Pessoa de Contato: peter
Telefone: +8613211027073