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Casa ProdutosMOSFET do poder superior

Pin SOT-23 T/R do si 20V 3.7A 3 do MOSFET P-CH do poder superior de IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R do si 20V 3.7A 3 do MOSFET P-CH do poder superior de IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF High Power MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R
IRLML6402TRPBF High Power MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R IRLML6402TRPBF High Power MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R

Imagem Grande :  Pin SOT-23 T/R do si 20V 3.7A 3 do MOSFET P-CH do poder superior de IRLML6402TRPBF Melhor preço

Detalhes do produto:
Lugar de origem: CHINA
Marca: Infineon
Número do modelo: IRLML6402TRPBF
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Qty do pacote
Preço: contact sales for updated price
Detalhes da embalagem: fita e carretel
Tempo de entrega: 2 semanas
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000+
Descrição de produto detalhada
MPN: IRLML6402TRPBF MFR: Infineon
Categoria: MOSFET Tamanho: 1.02*3.04*1.4mm
Destacar:

Si 20V do MOSFET do poder superior

,

MOSFET P-CH do poder superior

,

IRLML6402TRPBF

Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R do MOSFET P-CH do transporte de IRLML6402TRPBF Infineon

Especificações técnicas do produto

UE RoHS Complacente
ECCN (E.U.) EAR99
Estado da parte Ativo
Automotivo Não
PPAP Não
Categoria de produto MOSFET do poder
Material Si
Configuração Único
Tecnologia de processamento HEXFET
Modo do canal Realce
Tipo de canal P
Número de elementos pela microplaqueta 1
Tensão máxima da fonte do dreno (v) 20
Tensão de fonte de porta máxima (v) ±12
Tensão máxima do ponto inicial da porta (v) 1,2
Temperatura de junção de funcionamento (°C) -55 a 150
Dreno contínuo máximo (a) atual 3,7
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) 100
IDSS máximo (A) 1
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) 65@4.5V
Carga típica @ Vgs da porta (nC) 8@5V
Porta típica para drenar a carga (nC) 2,8
Porta típica à carga da fonte (nC) 1,2
Carga reversa típica da recuperação (nC) 11
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) 633@10V
Capacidade reversa típica @ Vds de transferência (PF) 110@10V
Tensão mínima do ponto inicial da porta (v) 0,4
Capacidade de saída típica (PF) 145
Dissipação de poder máxima (mW) 1300
Tempo de queda típico (ns) 381
Tempo de elevação típico (ns) 48
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) 588
Tempo de atraso de ligação típico (ns) 350
Temperatura de funcionamento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamento máximo (°C) 150
Empacotamento Fita e carretel
Máximos pulsados drenam a corrente @ TC=25°C (a) 22
Resistência térmica ambiental da junção máxima em PWB (°C/W) 100
Tensão típica do platô da porta (v) 1,9
Tempo de recuperação reversa típico (ns) 29
Tensão dianteira do diodo máximo (v) 1,2
Tensão típica do ponto inicial da porta (v) 0,55
Tensão de fonte de porta positiva máxima (v) 12
Pin Count 3
Nome do pacote padrão ÉBRIO
Pacote do fornecedor SOT-23
Montagem Montagem de superfície
Altura do pacote 1,02 (máximo)
Comprimento do pacote 3,04 (máximo)
Largura do pacote 1,4 (máximo)
O PWB mudou 3
Forma da ligação Gaivota-asa

Contacto
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Pessoa de Contato: peter

Telefone: +8613211027073

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