logo
Enviar mensagem

Multi-produtos de Intergrate, serviço completo das fases,
Controle de alta qualidade, fullfillment da exigência de cliente

 

Vendas e Suporte
Pedir um orçamento - Email
Select Language
Casa
Produtos
Sobre nós
Excursão da fábrica
Controle da qualidade
Contacte-nos
Pedir um orçamento
Casa ProdutosMOSFET do poder superior

MOSFET do poder superior IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R do Mosfet 250V 64A 3 de N Ch

MOSFET do poder superior IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R do Mosfet 250V 64A 3 de N Ch

IPB200N25N3 High Power MOSFET , N Ch Mosfet 250V 64A 3 Pin D2PAK T/R
IPB200N25N3 High Power MOSFET , N Ch Mosfet 250V 64A 3 Pin D2PAK T/R IPB200N25N3 High Power MOSFET , N Ch Mosfet 250V 64A 3 Pin D2PAK T/R IPB200N25N3 High Power MOSFET , N Ch Mosfet 250V 64A 3 Pin D2PAK T/R IPB200N25N3 High Power MOSFET , N Ch Mosfet 250V 64A 3 Pin D2PAK T/R

Imagem Grande :  MOSFET do poder superior IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R do Mosfet 250V 64A 3 de N Ch Melhor preço

Detalhes do produto:
Lugar de origem: CHINA
Marca: Infineon
Número do modelo: IPB200N25N3
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Qty do pacote
Preço: contact sales for updated price
Detalhes da embalagem: fita e carretel
Tempo de entrega: 2 semanas
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000+
Descrição de produto detalhada
MPN: IPB200N25N3 MFR: Infineon
Categoria: MOSFET Tamanho: 4.57*10.31*9.45mm
Destacar:

MOSFET do poder superior IPB200N25N3

,

Pin do Mosfet 3 de N Ch

,

Mosfet 250V 64A de N Ch

MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin do transporte de IPB200N25N3 Infineon (2+Tab) D2PAK T/R

Especificações técnicas do produto

UE RoHS Complacente com isenção
ECCN (E.U.) EAR99
Estado da parte Ativo
SVHC Sim
SVHC excede o ponto inicial Sim
Automotivo Não
PPAP Não
Categoria de produto MOSFET do poder
Configuração Único
Tecnologia de processamento OptiMOS 3
Modo do canal Realce
Tipo de canal N
Número de elementos pela microplaqueta 1
Tensão máxima da fonte do dreno (v) 250
Tensão de fonte de porta máxima (v) ±20
Dreno contínuo máximo (a) atual 64
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) 20@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC) 64@10V
Carga típica @ 10V da porta (nC) 64
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) 5340@100V
Dissipação de poder máxima (mW) 300000
Tempo de queda típico (ns) 12
Tempo de elevação típico (ns) 20
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) 45
Tempo de atraso de ligação típico (ns) 18
Temperatura de funcionamento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamento máximo (°C) 175
Empacotamento Fita e carretel
Pin Count 3
Nome do pacote padrão TO-263
Pacote do fornecedor D2PAK
Montagem Montagem de superfície
Altura do pacote 4,57 (máximo)
Comprimento do pacote 10,31 (máximo)
Largura do pacote 9,45 (máximo)
O PWB mudou 2
Aba Aba

Contacto
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Pessoa de Contato: peter

Telefone: +8613211027073

Envie sua pergunta diretamente para nós