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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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MPN: | IPD90R1K2C3 | MFR: | Infineon |
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Categoria: | MOSFET | Tamanho: | 2.41*6.73*6.22mm |
Destacar: | MOSFET do poder superior IPD90R1K2C3,Pin do MOSFET 3 do poder superior,Módulo N-CH de AMPAK Wifi |
UE RoHS | Complacente com isenção |
ECCN (E.U.) | EAR99 |
Estado da parte | Ativo |
SVHC | Sim |
SVHC excede o ponto inicial | Sim |
Automotivo | Não |
PPAP | Não |
Categoria de produto | MOSFET do poder |
Configuração | Único |
Tecnologia de processamento | CoolMOS |
Modo do canal | Realce |
Tipo de canal | N |
Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
Tensão máxima da fonte do dreno (v) | 900 |
Tensão de fonte de porta máxima (v) | ±20 |
Tensão máxima do ponto inicial da porta (v) | 3,5 |
Temperatura de junção de funcionamento (°C) | -55 a 150 |
Dreno contínuo máximo (a) atual | 5,1 |
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) | 100 |
IDSS máximo (A) | 1 |
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 1200@10V |
Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 28@10V |
Carga típica @ 10V da porta (nC) | 28 |
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 710@100V |
Dissipação de poder máxima (mW) | 83000 |
Tempo de queda típico (ns) | 40 |
Tempo de elevação típico (ns) | 20 |
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 400 |
Tempo de atraso de ligação típico (ns) | 70 |
Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
Empacotamento | Fita e carretel |
Tensão de fonte de porta positiva máxima (v) | 20 |
Tensão dianteira do diodo máximo (v) | 1,2 |
Pin Count | 3 |
Nome do pacote padrão | TO-252 |
Pacote do fornecedor | DPAK |
Montagem | Montagem de superfície |
Altura do pacote | 2,41 (máximo) |
Comprimento do pacote | 6,73 (máximo) |
Largura do pacote | 6,22 (máximo) |
O PWB mudou | 2 |
Aba | Aba |
Forma da ligação | Gaivota-asa |
Pessoa de Contato: peter
Telefone: +8613211027073