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Casa ProdutosMOSFET do poder superior

MOSFET do poder superior IPD90R1K2C3, Pin DPAK T/R do módulo N-CH 900V 5.1A 3 de AMPAK Wifi

MOSFET do poder superior IPD90R1K2C3, Pin DPAK T/R do módulo N-CH 900V 5.1A 3 de AMPAK Wifi

IPD90R1K2C3 High Power MOSFET , AMPAK Wifi Module N-CH 900V 5.1A 3 Pin DPAK T/R
IPD90R1K2C3 High Power MOSFET , AMPAK Wifi Module N-CH 900V 5.1A 3 Pin DPAK T/R IPD90R1K2C3 High Power MOSFET , AMPAK Wifi Module N-CH 900V 5.1A 3 Pin DPAK T/R IPD90R1K2C3 High Power MOSFET , AMPAK Wifi Module N-CH 900V 5.1A 3 Pin DPAK T/R

Imagem Grande :  MOSFET do poder superior IPD90R1K2C3, Pin DPAK T/R do módulo N-CH 900V 5.1A 3 de AMPAK Wifi Melhor preço

Detalhes do produto:
Lugar de origem: CHINA
Marca: Infineon
Número do modelo: IPD90R1K2C3
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Qty do pacote
Preço: contact sales for updated price
Detalhes da embalagem: fita e carretel
Tempo de entrega: 2 semanas
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000+
Descrição de produto detalhada
MPN: IPD90R1K2C3 MFR: Infineon
Categoria: MOSFET Tamanho: 2.41*6.73*6.22mm
Destacar:

MOSFET do poder superior IPD90R1K2C3

,

Pin do MOSFET 3 do poder superior

,

Módulo N-CH de AMPAK Wifi

MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin do transporte de IPD90R1K2C3 Infineon (2+Tab) DPAK T/R

Especificações técnicas do produto

UE RoHS Complacente com isenção
ECCN (E.U.) EAR99
Estado da parte Ativo
SVHC Sim
SVHC excede o ponto inicial Sim
Automotivo Não
PPAP Não
Categoria de produto MOSFET do poder
Configuração Único
Tecnologia de processamento CoolMOS
Modo do canal Realce
Tipo de canal N
Número de elementos pela microplaqueta 1
Tensão máxima da fonte do dreno (v) 900
Tensão de fonte de porta máxima (v) ±20
Tensão máxima do ponto inicial da porta (v) 3,5
Temperatura de junção de funcionamento (°C) -55 a 150
Dreno contínuo máximo (a) atual 5,1
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) 100
IDSS máximo (A) 1
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) 1200@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC) 28@10V
Carga típica @ 10V da porta (nC) 28
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) 710@100V
Dissipação de poder máxima (mW) 83000
Tempo de queda típico (ns) 40
Tempo de elevação típico (ns) 20
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) 400
Tempo de atraso de ligação típico (ns) 70
Temperatura de funcionamento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamento máximo (°C) 150
Empacotamento Fita e carretel
Tensão de fonte de porta positiva máxima (v) 20
Tensão dianteira do diodo máximo (v) 1,2
Pin Count 3
Nome do pacote padrão TO-252
Pacote do fornecedor DPAK
Montagem Montagem de superfície
Altura do pacote 2,41 (máximo)
Comprimento do pacote 6,73 (máximo)
Largura do pacote 6,22 (máximo)
O PWB mudou 2
Aba Aba
Forma da ligação Gaivota-asa

Contacto
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Pessoa de Contato: peter

Telefone: +8613211027073

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